1. Arnaldo
Dal Pino Júnior (FAPESP)
"Inclusão
de Efeitos de Muitos Elétrons no Método do Espalhamento Múltiplo: Aplicação
ao Mn Substitucional em GaAs
Instituto
de Física (USP)
Defendido
em 15 de outubro de 1982
2. Nilo Makiuchi (CAPES)
"Níveis
Profundos em GaP: Monovacâncias e Oxigênio Substitucional"
Instituto
de Física (USP)
Defendido
em 12 de março de 1982
3. Antônio Newton Borges
"Divacância em Silício via CNDO/BW"
Instituto de Física (USP)
Defendido em 1983
4. Mauro Roberto Sardela Júnior (FAPESP)
"Propriedades Ópticas dos Semicondutores Semimagnéticos
sob Pressão Hidrostática"
Instituto de Física (USP)
Defendido em 05 de novembro de 1987
5. Sérgio Kaisserlian de Figueiredo (FAPESP)
"Correção
de Auto-Interação no MS-Xa "
Instituto
de Física (USP)
Defendido
em 24 de junho de 1987
6.Hélio Ferreira de Paula Júnior
"Pares de Impurezas Calcogênicas em Silício"
Instituto de Física (USP)
Defendido em 30 de março de 1988
7.Tomé Mauro Schmidt
"Cálculo de Efeitos de Muitos Elétrons para
Estados Excitados de Defeitos ‘SP POT.3’ em Semicondutores"
Instituto de Física (USP)
Defendido em 15 de outubro de 1990
8.Antônio
Cesar Ferreira
"Correção
do Potencial Muffin-Tin: Antisítio em ‘GA’ ‘AS’ "
Instituto
de Física (USP)
Defendido
em 24 de agosto de 1990
9.Francisco de Paula Camargo
"Pseudo Jahn-Teller versus Reconstrução Química:
Oxigênio em Silício"
Instituto de Física (USP)
Defendido em 03 de setembro de 1990
10. Fábio Bretas de Freitas (CNPq)
"Dinâmica Molecular via Formalismo de Hartree-Fock-Roothaan
no Esquema de Car-Parrinello"
Instituto Tecnológico da Aeronáutica/ITA
Defendido em 1991
11. Carlos Roberto Martins da Cunha (CNPq)
"Propriedades Estruturais e Eletrônicas de
N e N2 em Semicondutores Tipo IV"
Instituto de Física (USP)
Defendido em 04 de setembro de 1992
12. Pedro Paulo de Mello Venezuela (FAPESP)
"Defeitos de Antisítio e Tipo Antisítio em
GaP"
Instituto de Física (USP)
Defendido em 07 de maio de 1993
13. Gilberto de Paiva (FAPESP)
"Estabilidade Térmica de Fullerenos e Nanotubos
de Carbono"
Instituto de Física (USP)
Defendido em 11 de junho de 1996
14. Jonatan João da Silva (FAPESP)
"Semicondutores Amorfos do Grupo IV via Simulação
de Monte Carlo"
Instituto de Física (USP)
Defendido em 17 de junho de 1997
15. Karina de Oliveira Barbosa (FAPESP)
"Centro DX Revisitado"
Instituto de Física (USP)
Defendido em 08 de agosto de 1997
16. Gustavo Martini Dalpian (FAPESP)
"Estudo dos Estágios Iniciais do Crescimento
de Ge sobre Si(100)"
Instituto de Física (USP)
Defendido
em 13 de abril de 2000
